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DIODO SIC 650V-1700V

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MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diodo de barrera Schottky de 20A 1200V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 A-247 1200V 20A Especificación del dispositivo DCC20D120G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 A-247 650V 20A Especificación del dispositivo DCC20D65G4.pdf
diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Especificación del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Especificación del dispositivo DCD10D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 A-263 650V 8A Especificación del dispositivo DCE08D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCE10D65G4 A-263 650V 10A Especificación del dispositivo DCE10D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 A-220-2 650V 20A Especificación del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf

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