portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » SIC » 650V-1700V SIC DIODI
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

650V-1700V SIC DIODI

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
68A 1200V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500V/5A puolisilta IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Laitteen DCCT20D65G4 Specification.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
25A 1700V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Laitteen DCCT25D170G1 Specification.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Laitteen DCE20D65G4 Specification.pdf
30mΩ 1200V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Laite DCD20D65G4 Specification.pdf
15A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Laitteen DCGT15D120G4 Specification.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
7.0A 1700V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Laitteen DCCT40D120G4 Specification.pdf
30A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Laitteen DCE30D65G4 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi