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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DIODE SIC 650V-1700V

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MOSFET de puissance SIC canal N 68 A 1 200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Spécifications de l'appareil DCC20D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Spécification de l'appareil DCC20D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Spécifications de l'appareil DCGT08D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Spécification de l'appareil DCD10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Spécification de l'appareil DCE08D65G4.pdf
 Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Spécifications de l'appareil DCE10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Spécifications de l'appareil DCGT20D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 1200V DCD10D120G4/DCCT10D120G4/DCET10D120G4
Diode barrière Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Spécification de l'appareil DCC40D65G4.pdf
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Spécifications de l'appareil DCGT10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 5A 1200V DCD05D120G3
Diode barrière Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Diode barrière Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Spécification de l'appareil DCD04D65G4.pdf
 Diode barrière SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Spécifications de l'appareil DCGT15D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Spécifications de l'appareil DCE30D65G4.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Fiche technique_V1.0.pdf

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