未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » SIC » SIC DIODE 650V-1700V
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

SIC DIODA 650V-1700V

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Specifikace zařízení DCCT20D65G4.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
25A 1700V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Specifikace zařízení DCCT25D170G1.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Specifikace zařízení DCE20D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikace zařízení DCD20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikace zařízení DCGT15D120G4.pdf
7,0A 1700V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikace zařízení DCCT40D120G4.pdf
30A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Specifikace zařízení DCE30D65G4.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com