brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » SIC » SIC DIODE 650V-1700V
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

SIC DIODA 650V-1700V

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Specifikace zařízení DCC20D120G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Specifikace zařízení DCC20D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Specifikace zařízení DCGT08D65G4.pdf
10A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Specifikace zařízení DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Specifikace zařízení DCE08D65G4.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dioda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Specifikace zařízení DCE10D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Specifikace zařízení DCGT20D65G4.pdf
10A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC Schottkyho bariérová dioda 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Specifikace zařízení DCGT10D65G4.pdf
40A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Specifikace zařízení DCC40D65G4.pdf
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD05D120G3
25A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
4A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Specifikace zařízení DCD04D65G4.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikace zařízení DCGT15D120G4.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
7,0A 1700V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikace zařízení DCCT40D120G4.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky