未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » SIC » 650V-1700V SIC DIODA
Model:
Paket:
V:
A:
IZBRANE PROIZVODNE LINIJE:

650V-1700V SIC DIODA

Slika Model Paket V A Podatkovni list Podrobnosti Povpraševanje Dodaj v košarico
68A 1200V N-kanalni SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A DCC040M170G2_Podatkovni list_V1.0(1).pdf
500V/4A polmostni IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_podatkovni list_V1.0.pdf
500V/5A polmostni IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A DPQA05HB50MF_podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MFN_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MFN_Podatkovni list_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Specifikacije naprave DCCT20D65G4.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MF_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MF_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MFN_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MF_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MFN_Podatkovni list_V1.0.pdf
25A 1700V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Specifikacije naprave DCCT25D170G1.pdf
20A 650V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Specifikacije naprave DCE20D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikacije naprave DCD20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanalni SiC močnostni MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
15A 1200V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikacije naprave DCGT15D120G4.pdf
40A 1200V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikacije naprave DCCT40D120G4.pdf
30A 650V SiC Schottkyjeva pregradna dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Specifikacije naprave DCE30D65G4.pdf
7,0 A 1700 V N-kanalni SiC napajalni MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Podatkovni list_V1.0.pdf
500V/3A polmostni IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Podatkovni list_V1.0.pdf

Video o izdelku

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com