Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » НИЦ » 650В-1700В SIC ДИОД
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

ДИОД SIC 650 В-1700 В

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 68 А, 1200 В DCC040M170G2 ТО-247-3 1700В 67А DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
Полумостовой IPM 500 В/4 А DPQA04HB50MF SOP-11 ДПQA04HB50MF СОП-11 500В 4А DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/5 А DPQA05HB50MF SOP-11 ДПQA05HB50MF СОП-11 500В 5А DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MFN ЭСОП-9 500В 3А DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MFN ЭСОП-9 500В 5А DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
20А 650В барьерный диод ДККТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2Л DCCT20D65G4 ТО-247-2Л 650В 20А Спецификация устройства DCCT20D65G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MF ЭСОП-9 500В 7А DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MF ЭСОП-9 500В 4А DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MFN ЭСОП-9 500В 4А DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MF ЭСОП-9 500В 3А DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MFN ЭСОП-9 500В 7А DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
25А 1700В SiC диод Шоттки с барьером DCCT25D170G1 ТО-247-2Л 1700В 25А Спецификация устройства DCCT25D170G1.pdf
Диод барьера ДКЭ20Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 20А 650В ДЦЭ20Д65Г4 ТО-263 650В 20А Спецификация устройства DCE20D65G4.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 30 мОм, 1200 В DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Диод с барьером Шоттки SiC 20А 650В ДКД20Д65Г4 ТО-252 DCD20D65G4 ТО-252Б 650В 20А Спецификация устройства DCD20D65G4.pdf
15А 1200В барьерный диод ДКГТ15Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2 DCGT15D120G4 ТО-220С-2Л 1200В 15А Спецификация устройства DCGT15D120G4.pdf
40А 1200В барьерный диод ДККТ40Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2 DCCT40D120G4 ТО-247-2 1200В 40А Спецификация устройства DCCT40D120G4.pdf
Диод барьера ДКЭ30Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 30А 650В ДЦЭ30Д65Г4 ТО-263 650В 30А Спецификация устройства DCE30D65G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MF ЭСОП-9 500В 5А DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 7,0 А, 1700 В DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 ТО-247 1700В 7А DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com