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江蘇東海半導体有限公司
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650V-1700V SICダイオード

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68A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A デバイス DCC20D120G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A デバイス DCC20D65G4 仕様.pdf
8A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A デバイス DCGT08D65G4 仕様.pdf
10A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A デバイス DCD10D65G4 仕様.pdf
8A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A デバイス DCE08D65G4 仕様.pdf
 SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A デバイス DCE10D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A デバイス DCGT20D65G4 仕様.pdf
10A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
40A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A デバイス DCC40D65G4 仕様.pdf
SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A デバイス DCGT10D65G4 仕様.pdf
6A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_データシート_V1.0.pdf
5A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCD05D120G3
25A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
4A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A デバイス DCD04D65G4 仕様.pdf
 SiCショットキーバリアダイオード 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
15A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A デバイス DCGT15D120G4 仕様.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_データシート_V1.0.pdf
7.0A 1700V N チャネル SiC パワー MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_データシート_V1.0.pdf
40A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A デバイス DCCT40D120G4 仕様.pdf

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