未命名(1)(8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » SIC » 650V-1700V SIC-DIODE
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

650V-1700V SIC-DIODE

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
68 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Gerätespezifikation DCC20D120G4.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Gerätespezifikation DCC20D65G4.pdf
8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Geräte-DCGT08D65G4-Spezifikation.pdf
10 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Gerätespezifikation DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Gerätespezifikation DCE08D65G4.pdf
SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Gerätespezifikation DCE10D65G4.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Gerätespezifikation DCGT20D65G4.pdf
10 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Gerätespezifikation DCGT10D65G4.pdf
40 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Gerätespezifikation DCC40D65G4.pdf
6A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
5 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD05D120G3
25 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Gerätespezifikation DCD04D65G4.pdf
SiC-Schottky-Barrierediode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
15 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Gerätespezifikation DCGT15D120G4.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
40 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Gerätespezifikation DCCT40D120G4.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Einreichen
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com