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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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650V-1700V SIC-Diode

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30a 650V SIC Schottky Barrier Diode DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 To-263 650 V 30a Gerät DCE30D65G4 Spezifikation.pdf
40A 1200V SIC Schottky Barrier Diode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 To-247-2 1200V 40a Geräte DCCT40D120G4 Spezifikation.pdf
20A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCD20D65G4 bis 252 DCD20D65G4 To-252b 650 V 20a Gerät DCD20D65G4 Spezifikation.pdf
7.0a 1700V N-Kanal SIC Power MOSFET DCC650M170G1 bis-247 DCC650M170G1 To-247 1700V 7a DCC650M170G1_DATASEET_V1.0.pdf
30m Ω 1200 V N-Kanal SIC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
68A 1200V N-Kanal SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SIC Schottky Barrier Diode DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 To-247 1200V 20a Geräte DCC20D120G4 Spezifikation.pdf
40A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 To-247 650 V 40a Gerät DCC40D65G4 Spezifikation.pdf

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