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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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650V-1700V diodo SIC

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30A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A 263 650V 30A Dispositivo DCE30D65G4 Especificación.PDF
40A 1200V SIC Schottky Barrera Diodo DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 To-247-2 1200V 40A Dispositivo DCCT40D120G4 Especificación.PDF
20A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCD20D65G4 a 252 DCD20D65G4 A 252b 650V 20A Dispositivo DCD20D65G4 Especificación.PDF
7.0A 1700V N-canal SIC MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 To-247 1700V 7A DCC650M170G1_DATAYET_V1.0.PDF
30MΩ 1200V N-canal SIC MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
68A 1200V N-canal SIC MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SIC Schottky Barrera Diodo DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 To-247 1200V 20A Dispositivo DCC20D120G4 Especificación.PDF
40A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 To-247 650V 40A Dispositivo DCC40D65G4 Especificación.PDF

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