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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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DIODO SIC 650V-1700V

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Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
 Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 A-220-2 650V 20A Especificación del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
 Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCE10D65G4 A-263 650V 10A Especificación del dispositivo DCE10D65G4.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diodo de barrera Schottky de 20A 1200V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 A-247 1200V 20A Especificación del dispositivo DCC20D120G4.pdf
diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Especificación del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
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Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 A-247 650V 20A Especificación del dispositivo DCC20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 A-263 650V 8A Especificación del dispositivo DCE08D65G4.pdf

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