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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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DIODO SIC 650V-1700V

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500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 A-263 650V 20A Especificación del dispositivo DCE20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Especificación del dispositivo DCD20D65G4.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30mΩ y 1200V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Especificación del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 25 A y 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Especificación del dispositivo DCCT25D170G1.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Medio puente 500V/5A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF POE-11 500V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M170G2 A-247-3 1700V 67A DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf

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