Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L

Diodo de barrera Schottky de SiC de 20 A y 650 V

1 Descripción 

La familia de productos de la serie SiC ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

⚫ alto voltaje 

⚫ Corriente de recuperación inversa cero 

⚫ Voltaje de recuperación directa cero

⚫ Coeficiente de temperatura positivo en VF

⚫ Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C 

3 aplicaciones 

⚫ Fuentes de alimentación de modo conmutado 

⚫ Corrección del factor de potencia 

⚫ Accionamiento por motor, inversor fotovoltaico, central eólica

VBM	control de calidad	SI（TC≤135℃）
650V	41nC	30A