未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » SIC » 650V-1700V SIC-DIODE
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

650V-1700V SIC-DIODE

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
7,0A 1700V N-kanaal SiC-voedingsMOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/4A halve brug IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Apparaat DCE20D65G4 Specificatie.pdf
30mΩ 1200V N-kanaal SiC-voedingsMOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Apparaat DCD20D65G4 Specificatie.pdf
68A 1200V N-kanaal SIC-vermogens-MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Gegevensblad_V1.0(1).pdf
500V/4A halve brug IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500V/5A halve brug IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Gegevensblad_V1.0.pdf
500V/3A halve brug IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Gegevensblad_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Apparaat DCCT20D65G4 Specificatie.pdf
25A 1700V SiC Schottky-barrièrediode DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Apparaat DCCT25D170G1 Specificatie.pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com