未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » SIC » 650V-1700V SIC DIODE
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

650В-1700В SIC ДІОД

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
40A 1200V SiC бар'єрний діод Шотткі DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 ТО-247-2 1200В 40А Специфікація пристрою DCCT40D120G4.pdf
500 В/4 А Напівмостовий IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF СОП-11 500В 4А Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 ТО-263 650В 20А Специфікація пристрою DCE20D65G4.pdf
30 мОм 1200 В N-канальний SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 ТО-252Б 650В 20А Специфікація пристрою DCD20D65G4.pdf
68A 1200V N-канальний SIC Power MOSFET DCC040M170G2 ТО-247-3 1700В 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
500 В/4 А Напівмостовий IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF СОП-11 500В 4А Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500 В/5 А Напівмостовий IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF СОП-11 500В 5А Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ЕСОП-9 500В 3А Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ЕСОП-9 500В 5А Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ЕСОП-9 500В 4А Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ЕСОП-9 500В 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ЕСОП-9 500В 4А Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ЕСОП-9 500В 3А Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500 В/3 А Напівмостовий IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ЕСОП-9 500В 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 ТО-247-2Л 650В 20А Специфікація пристрою DCCT20D65G4.pdf
25A 1700V SiC бар'єрний діод Шотткі DCCT25D170G1 ТО-247-2Л 1700В 25А Специфікація пристрою DCCT25D170G1.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com