未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC » DIODY SIC 650V-1700V
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

DIODA SIC 650V-1700V

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 650 V SiC DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specyfikacja urządzenia DCE30D65G4.pdf
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCE20D65G4.pdf
30 mΩ 1200 V N-kanałowy SiC MOSFET mocy DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCD20D65G4.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Arkusz danych_V1.0(1).pdf
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/5 A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCCT20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 1700V SiC DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specyfikacja urządzenia DCCT25D170G1.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com