Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V

Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V

1 Descripción La familia de productos de la serie SiC ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

⚫ alto voltaje 

⚫ Corriente de recuperación inversa cero 

⚫ Voltaje de recuperación directa cero 

⚫ Coeficiente de temperatura positivo en VF 

⚫ Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C

3 aplicaciones 

⚫ Fuentes de alimentación de modo conmutado 

⚫ Corrección del factor de potencia 

⚫ Accionamiento por motor, inversor fotovoltaico, central eólica

VBM	control de calidad	SI（TC≤135℃）
1200V	25 nC	13A