kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-1700V SIC DIÓDA » 10A 1200V SiC Schottky Barrier Dióda

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

10A 1200V SiC Schottky Barrier Dióda

10A 1200V SiC Schottky Barrier Dióda
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4

  • WXDH

10A 1200V SiC Schottky Barrier Dióda


1 Leírás A SiC sorozat termékcsaládja a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

⚫ magas feszültség 

⚫ Nulla fordított helyreállítási áram 

⚫ Nulla előremenő helyreállítási feszültség 

⚫ Pozitív hőmérsékleti együttható a VF-en 

⚫ 175°C üzemi csomóponti hőmérséklet


3 Alkalmazások 

⚫ Kapcsolóüzemű tápegységek 

⚫ Teljesítménytényező korrekció 

⚫ Motorhajtás, PV inverter, szélerőmű


VBRM QC  IF (TC≤135℃)
1200V 25nC 13A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket