Diode barrière Schottky SiC 10A 1200V

Diode barrière Schottky SiC 10A 1200V

1 Description La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques 

⚫ haute tension 

⚫ Courant de récupération inverse zéro 

⚫ Tension de récupération zéro 

⚫ Coefficient de température positif sur VF 

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C

3 candidatures 

⚫ Alimentations à découpage 

⚫ Correction du facteur de puissance 

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne

VBRM	QC	SI (TC≤135℃)
1200V	25nC	13A