πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΟΥΤΩ » 650V-1700V SIC ΔΙΩΔΟΣ » 10A 1200V SiC Schottky Barrier Diode

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

10A 1200V SiC Schottky Barrier Diode

10A 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4

  • WXDH

10A 1200V SiC Schottky Barrier Diode


1 Περιγραφή Η οικογένεια προϊόντων της σειράς SiC προσφέρει κορυφαίες επιδόσεις. Έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία. 


2 Χαρακτηριστικά 

⚫ υψηλή τάση 

⚫ Μηδενικό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης 

⚫ Μηδενική τάση ανάκτησης προς τα εμπρός 

⚫ Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VF 

⚫ 175°C Θερμοκρασία διασταύρωσης λειτουργίας


3 Εφαρμογές 

⚫ Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας 

⚫ Διόρθωση συντελεστή ισχύος 

⚫ Κίνηση κινητήρα, Φ/Β μετατροπέας, Αιολικός Σταθμός


VBRM QC  IF (TC≤135℃)
1200V 25nC 13Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας