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DIODO SIC 650V-1700V

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MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/5 A DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A DPQB0
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 25 A 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specifiche del dispositivo DCCT25D170G1.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCE20D65G4.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCD20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specifiche del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specifiche del dispositivo DCE30D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCCT40D120G4.pdf

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