未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC » DIODY SIC 650V-1700V
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

DIODA SIC 650V-1700V

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 1200 V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D120G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCGT08D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCE08D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 650V SiC DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCD10D65G4.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCGT20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 1200V SiC DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCGT10D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 650 V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC40D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 6A 650 V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A DCGT06D65G4_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 5A 1200V SiC DCD05D120G3
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Dioda barierowa Schottky'ego 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specyfikacja urządzenia DCD04D65G4.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Dioda barierowa Schottky'ego 15A 1200 V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specyfikacja urządzenia DCGT15D120G4.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
7,0 A 1700 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A DCC650M170G1_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 1200 V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCCT40D120G4.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com