未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » SIC » 650V-1700V SIC DIODE
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

650V-1700V SIC DIODA

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
MOSFET SIC Power 68A 1200V me kanal N DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A DCC040M170G2_Fletë e të dhënave_V1.0(1).pdf
500V/4A gjysmë urë IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
500V/5A gjysmë urë IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky Diodë Barriere DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20 A Specifikimi i pajisjes DCCT20D65G4.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MFN_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MFN_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MF_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MF_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MFN_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MF_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MFN_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
Diodë barriere Schottky 25A 1700V SiC DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specifikimi i pajisjes DCCT25D170G1.pdf
20A 650V SiC Schottky Diodë Barriere DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20 A Specifikimi i pajisjes DCE20D65G4.pdf
MOSFET SiC Power 30mΩ 1200V me kanal N DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 650V SiC Schottky Diodë Barriere DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20 A Specifikimi i pajisjes DCD20D65G4.pdf
15A 1200V SiC Schottky Diodë Barriere DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specifikimi i pajisjes DCGT15D120G4.pdf
7.0A 1700V SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A DCC650M170G1_Fletë të dhënash_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Diodë Barriere Schottky DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40 A Specifikimi i pajisjes DCCT40D120G4.pdf
30A 650V SiC Schottky Diodë Barriere DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30 A Specifikimi i pajisjes DCE30D65G4.pdf
500V/3A gjysmë urë IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com