brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » SIC » SIC DIÓDA 650V-1700V
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

SIC DIÓDA 650V-1700V

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
68A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Špecifikácia zariadenia DCC20D120G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCC20D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Špecifikácia zariadenia DCGT08D65G4.pdf
10A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Špecifikácia zariadenia DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Špecifikácia zariadenia DCE08D65G4.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dióda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Špecifikácia zariadenia DCE10D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCGT20D65G4.pdf
10A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC Schottkyho bariérová dióda 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Špecifikácia zariadenia DCGT10D65G4.pdf
40A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Špecifikácia zariadenia DCC40D65G4.pdf
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCD05D120G3
25A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
4A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Špecifikácia zariadenia DCD04D65G4.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dióda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Špecifikácia zariadenia DCGT15D120G4.pdf
500V/3A polovičný mostík IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
7,0 A 1700 V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Špecifikácia zariadenia DCCT40D120G4.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty