Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L

Diode barrière SiC Schottky 10A 650V

1 Descriptif 

La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques 

⚫ haute tension 

⚫ Courant de récupération inverse zéro 

⚫ Tension de récupération zéro 

⚫ Coefficient de température positif sur VF 

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C

3 candidatures 

⚫ Alimentations à découpage 

⚫ Correction du facteur de puissance 

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne

VBRM	QC	SI (TC≤135℃)
650V	25nC	19A