SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L

SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V

1 توضیحات 

خانواده محصولات سری SiC بهترین عملکرد را ارائه می دهد. برای کاربردهای فرکانس بالا که در آن کارایی بالا و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است طراحی شده است. 

2 ویژگی 

⚫ ولتاژ بالا 

⚫ جریان بازیابی معکوس صفر 

⚫ ولتاژ بازیابی به جلو صفر 

⚫ ضریب دمای مثبت روی VF 

⚫ دمای محل اتصال عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

3 برنامه های کاربردی 

⚫ منابع تغذیه حالت سوئیچینگ 

⚫ تصحیح ضریب قدرت 

⚫ درایو موتور، اینورتر PV، نیروگاه بادی

VBRM	QC	IF (TC≤135℃)
650 ولت	25 nC	19A