Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L

Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V

1 Descrizione 

La famiglia di prodotti della serie SiC offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

⚫ alta tensione 

⚫ Corrente di recupero inversa zero 

⚫ Tensione di recupero diretta zero 

⚫ Coefficiente di temperatura positivo sulla VF 

⚫ Temperatura di giunzione operativa 175°C

3 applicazioni 

⚫ Alimentatori switching 

⚫ Rifasamento 

⚫ Azionamento di motori, inverter fotovoltaici, centrali eoliche

VBRM	Controllo qualità	SE（TC≤135℃）
650 V	25nC	19A