Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Koti » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 50A 30V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET

Ladataan

Jakaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

50A 30V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

50A 30V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:
  • 50N03/B50N03/D50N03

  • LXDH

50A 30V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavaiset Enhanced VDMOSFETit käyttivät edistynyttä kaivantotekniikkaa, tarjosivat erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen.Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● Pieni kytkentähäviö 

● Pieni ON-vastus (Rdson≤11mΩ) 

● Matala porttilataus (Tyyppi: 22nC) 

● Matala käänteinen siirtokapasitanssi (tyyppi: 130pF) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Kovakytkentäiset ja korkeataajuiset piirit 

● Sähkötyökalut 

● Autoelektroniikka 

● Keskeytymätön virtalähde.

VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
30V 9mΩ 50A


Edellinen: 
Seuraava: 

tuotekategoria

Uusimmat uutiset

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Tilaa