ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs ໃຊ້ການອອກແບບເທກໂນໂລຍີ trench ກ້າວຫນ້າ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາປະຕູ.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການສູນເສຍການປ່ຽນຕໍ່າ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤11mΩ)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 22nC)
● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ(ປະເພດ: 130pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ແອັບພລິເຄຊັນປ່ຽນພະລັງງານ
● Hard Switched ແລະວົງຈອນຄວາມຖີ່ສູງ
● ເຄື່ອງມືໄຟຟ້າ
● ເອເລັກໂຕຣນິກລົດຍົນ
● ການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ບໍ່ຕິດຂັດ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs ໃຊ້ການອອກແບບເທກໂນໂລຍີ trench ກ້າວຫນ້າ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາປະຕູ.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການສູນເສຍການປ່ຽນຕໍ່າ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤11mΩ)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 22nC)
● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ(ປະເພດ: 130pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ແອັບພລິເຄຊັນປ່ຽນພະລັງງານ
● Hard Switched ແລະວົງຈອນຄວາມຖີ່ສູງ
● ເຄື່ອງມືໄຟຟ້າ
● ເອເລັກໂຕຣນິກລົດຍົນ
● ການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ບໍ່ຕິດຂັດ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
