注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Adet: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler Gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanılmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlanmıştır.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Düşük Anahtarlama Kaybı
● Düşük AÇIK Direnç(Rdson≤11mΩ)
● Düşük Geçit Yükü (Tip: 22nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasitesi (Tip: 130pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● Güç anahtarlama uygulamaları
● Sert Anahtarlamalı ve Yüksek Frekanslı Devreler
● Elektrikli Aletler
● Otomotiv Elektroniği
● Kesintisiz Güç Kaynağı.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanılarak mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Düşük Anahtarlama Kaybı
● Düşük AÇIK Direnç(Rdson≤11mΩ)
● Düşük Geçit Yükü (Tip: 22nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasitesi (Tip: 130pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● Güç anahtarlama uygulamaları
● Sert Anahtarlamalı ve Yüksek Frekanslı Devreler
● Elektrikli Aletler
● Otomotiv Elektroniği
● Kesintisiz Güç Kaynağı.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 30V | 9mΩ | 50A |
