Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi » MOSFET » 12V-300V N MOS » 50A 30V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET

Učitavam

Podijeli na:
facebook gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje na twitteru
gumb za dijeljenje linije
wechat gumb za dijeljenje
linkedin gumb za dijeljenje
pinterest gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje WhatsAppa
podijeli ovaj gumb za dijeljenje

50A 30V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

50A 30V N-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET
Dostupnost:
Količina:
  • 50N03/B50N03/D50N03

  • WXDH

50A 30V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET


1 Opis 

Ovi N-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi koristili su naprednu tehnologiju dizajna, pružajući odličan Rdson i nizak naboj vrata.Što je u skladu s RoHS standardom. 


2 Značajke 

● Niski gubici pri prebacivanju 

● Nizak ON otpor (Rdson≤11mΩ) 

● Low Gate Charge (tip: 22 nC) 

● Mali prijenosni kapacitet (Typ: 130pF) 

● 100% test energije lavine s jednim pulsom 

● 100% ΔVDS test 


3 Prijave 

● Aplikacije za prebacivanje napajanja 

● Tvrdo sklopljeni i visokofrekventni krugovi 

● Električni alati 

● Automobilska elektronika 

● Neprekidni izvor napajanja.

VDSS RDS(uključen)(TYP) iskaznica
30V 9mΩ 50A


Prethodna: 
Sljedeći: 

kategorija proizvoda

Najnovije vijesti

  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali novosti izravno u svoju pristiglu poštu