注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množství: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy využívaly pokročilý návrh technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj hradla.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Nízká ztráta při přepínání
● Nízký ON odpor (Rdson≤11mΩ)
● Nízké nabití brány (Typ: 22 nC)
● Nízká kapacita zpětného přenosu (Typ: 130 pF)
● 100% test lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● Aplikace pro přepínání napájení
● Pevně spínané a vysokofrekvenční obvody
● Elektrické nářadí
● Automobilová elektronika
● Nepřerušitelný zdroj napájení.
| VDSS | RDS(zapnuto)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy využívaly pokročilý návrh technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj hradla.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Nízká ztráta při přepínání
● Nízký ON odpor (Rdson≤11mΩ)
● Nízké nabití brány (Typ: 22 nC)
● Nízká kapacita zpětného přenosu (Typ: 130 pF)
● 100% test lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● Aplikace pro přepínání napájení
● Pevně spínané a vysokofrekvenční obvody
● Elektrické nářadí
● Automobilová elektronika
● Nepřerušitelný zdroj napájení.
| VDSS | RDS(zapnuto)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
