Tamaño: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Cantidad: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 50 A y 30 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja pérdida de conmutación
● Baja resistencia de encendido (Rdson≤11mΩ)
● Carga de puerta baja (tipo: 22 nC)
● Baja capacitancia de transferencia inversa (tipo: 130 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros
● Herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
● Sistema de Alimentación Ininterrumpida.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 30V | 9mΩ | 50A |
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 50 A y 30 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja pérdida de conmutación
● Baja resistencia de encendido (Rdson≤11mΩ)
● Carga de puerta baja (tipo: 22 nC)
● Baja capacitancia de transferencia inversa (tipo: 130 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros
● Herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
● Sistema de Alimentación Ininterrumpida.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 30V | 9mΩ | 50A |
