注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Antal: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals Forbedrede VDMOSFET'er brugte avanceret trench-teknologidesign, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lavt koblingstab
● Lav ON-modstand (Rdson≤11mΩ)
● Lav portopladning (Type: 22nC)
● Lav omvendt overførselskapacitans (Type: 130pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Strømskifteapplikationer
● Hard switchede og højfrekvente kredsløb
● Elektrisk værktøj
● Bilelektronik
● Uafbrydelig strømforsyning.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals Forbedrede VDMOSFET'er brugte avanceret skyttegravsteknologidesign, gav fremragende Rdson og lav portladning.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lavt koblingstab
● Lav ON-modstand (Rdson≤11mΩ)
● Lav portopladning (Type: 22nC)
● Lav omvendt overførselskapacitans (Type: 130pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Strømskifteapplikationer
● Hard switchede og højfrekvente kredsløb
● Elektrisk værktøj
● Bilelektronik
● Uafbrydelig strømforsyning.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
