ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel Enhanced VDMOSFETs များသည် ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသောအဆင့်မြင့်ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာဒီဇိုင်းကိုအသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● Low Switching Loss
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤11mΩ)
● Low Gate Charge (အမျိုးအစား- 22nC)
● Low Reverse Transfer Capacitance (အမျိုးအစား- 130pF)
● 100% Single Pulse Avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ
● Hard Switched နှင့် High Frequency Circuits များ
● လျှပ်စစ်ကိရိယာများ
● မော်တော်ကား အီလက်ထရွန်းနစ်
● Uninterruptible Power Supply။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel Enhanced VDMOSFETs များသည် ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသောအဆင့်မြင့်ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာဒီဇိုင်းကိုအသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● Low Switching Loss
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤11mΩ)
● Low Gate Charge (အမျိုးအစား- 22nC)
● Low Reverse Transfer Capacitance (အမျိုးအစား- 130pF)
● 100% Single Pulse Avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ
● Hard Switched နှင့် High Frequency Circuits များ
● လျှပ်စစ်ကိရိယာများ
● မော်တော်ကား အီလက်ထရွန်းနစ်
● Uninterruptible Power Supply။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 30V | 9mΩ | 50A |
