Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Schaltverlust
● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson≤11mΩ)
● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 22 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazität (typisch: 130 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● Hart geschaltete und hochfrequente Schaltkreise
● Elektrowerkzeuge
● Automobilelektronik
● Unterbrechungsfreie Stromversorgung.
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Schaltverlust
● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson≤11mΩ)
● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 22 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazität (typisch: 130 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● Hart geschaltete und hochfrequente Schaltkreise
● Elektrowerkzeuge
● Automobilelektronik
● Unterbrechungsfreie Stromversorgung.
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 30V | 9mΩ | 50A |
