注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Cantitate: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N au folosit un design avansat de tehnologie de șanț, au oferit un Rdson excelent și o încărcare scăzută.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Pierdere de comutare redusă
● Rezistență scăzută la ON (Rdson≤11mΩ)
● Încărcare scăzută la poartă (Tip: 22 nC)
● Capacitate scăzută de transfer invers (Tip: 130pF)
● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test ΔVDS 100%.
3 Aplicații
● Aplicații de comutare a puterii
● Circuite de înaltă frecvență și comutate greu
● Unelte electrice
● Electronice auto
● Sursă de alimentare neîntreruptibilă.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N au folosit un design avansat de tehnologie de șanț, au oferit un Rdson excelent și o încărcare scăzută.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Pierdere de comutare redusă
● Rezistență scăzută la ON (Rdson≤11mΩ)
● Încărcare scăzută la poartă (Tip: 22 nC)
● Capacitate scăzută de transfer invers (Tip: 130pF)
● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test ΔVDS 100%.
3 Aplicații
● Aplicații de comutare a puterii
● Circuite de înaltă frecvență și comutate greu
● Unelte electrice
● Electronice auto
● Sursă de alimentare neîntreruptibilă.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 30V | 9mΩ | 50A |
