注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Ποσότητα: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Αυτά τα βελτιωμένα VDMOSFET N καναλιών Χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρων, παρείχαν εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης.Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
● Χαμηλή απώλεια μεταγωγής
● Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤11mΩ)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 22nC)
● Χαμηλή χωρητικότητα αντίστροφης μεταφοράς (τύπος: 130pF)
● Ενεργειακή δοκιμή 100% Single Pulse Avalanche
● 100% ΔVDS Test
3 Εφαρμογές
● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος
● Κυκλώματα σκληρής μεταγωγής και υψηλής συχνότητας
● Ηλεκτρικά Εργαλεία
● Ηλεκτρονικά Αυτοκινήτων
● Τροφοδοτικό αδιάλειπτης ισχύος.
| VDSS | RDS(ενεργό)(TYP) | ταυτότητα |
| 30V | 9mΩ | 50Α |
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Αυτά τα βελτιωμένα VDMOSFET N καναλιών Χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρων, παρείχαν εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης.Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
● Χαμηλή απώλεια μεταγωγής
● Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤11mΩ)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 22nC)
● Χαμηλή χωρητικότητα αντίστροφης μεταφοράς (τύπος: 130pF)
● Ενεργειακή δοκιμή 100% Single Pulse Avalanche
● 100% ΔVDS Test
3 Εφαρμογές
● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος
● Κυκλώματα σκληρής μεταγωγής και υψηλής συχνότητας
● Ηλεκτρικά Εργαλεία
● Ηλεκτρονικά Αυτοκινήτων
● Τροφοδοτικό αδιάλειπτης ισχύος.
| VDSS | RDS(ενεργό)(TYP) | ταυτότητα |
| 30V | 9mΩ | 50Α |
