الحجم: 150px*50px الصورة 
 |
| الكمية: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
تستخدم وحدات VDMOSFET المحسنة ذات القناة N تصميمًا متقدمًا لتكنولوجيا الخنادق، مما يوفر Rdson ممتازًا وشحن بوابة منخفضًا.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● خسارة تبديل منخفضة
● مقاومة منخفضة (Rdson≥11mΩ)
● شحن البوابة المنخفضة (النوع: 22nC)
● سعة نقل عكسي منخفضة (النوع: 130pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● تطبيقات تبديل الطاقة
● الدوائر الصلبة ذات التبديل العالي والترددات العالية
● الأدوات الكهربائية
● إلكترونيات السيارات
● إمدادات الطاقة غير المنقطعة.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 30 فولت | 9mΩ | 50 أ |
50A 30V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
تستخدم وحدات VDMOSFET المحسنة ذات القناة N تصميمًا متقدمًا لتكنولوجيا الخنادق، مما يوفر Rdson ممتازًا وشحن بوابة منخفضًا.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● خسارة تبديل منخفضة
● مقاومة منخفضة (Rdson≥11mΩ)
● شحن البوابة المنخفضة (النوع: 22nC)
● سعة نقل عكسي منخفضة (النوع: 130pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● تطبيقات تبديل الطاقة
● الدوائر الصلبة ذات التبديل العالي والترددات العالية
● الأدوات الكهربائية
● إلكترونيات السيارات
● إمدادات الطاقة غير المنقطعة.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 30 فولت | 9mΩ | 50 أ |
