Dimensioni: 建议图fotoimmagine 150px*50px 
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| Quantità: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 30 V
1 Descrizione
Questi VDMOSFET avanzati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Bassa perdita di commutazione
● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson≤11mΩ)
● Carica gate bassa (tip.: 22nC)
● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 130 pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di potenza
● Circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza
● Utensili elettrici
● Elettronica automobilistica
● Gruppo di continuità.
| VDSS | RDS(acceso)(TIPO) | ID |
| 30 V | 9 mΩ | 50A |
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 30 V
1 Descrizione
Questi VDMOSFET avanzati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Bassa perdita di commutazione
● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson≤11mΩ)
● Carica gate bassa (tip.: 22nC)
● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 130 pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di potenza
● Circuiti a commutazione rigida e ad alta frequenza
● Utensili elettrici
● Elettronica automobilistica
● Gruppo di continuità.
| VDSS | RDS(acceso)(TIPO) | ID |
| 30 V | 9 mΩ | 50A |
