注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množstvo: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy používali pokročilý dizajn výkopovej technológie, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Nízka strata pri prepínaní
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤11 mΩ)
● Nízke nabitie brány (Typ: 22 nC)
● Nízka kapacita spätného prenosu (typ: 130 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● Aplikácie na prepínanie napájania
● Pevne spínané a vysokofrekvenčné obvody
● Elektrické náradie
● Automobilová elektronika
● Neprerušiteľný zdroj napájania.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 30V | 9 mΩ | 50A |
50A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy používali pokročilý dizajn výkopovej technológie, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Nízka strata pri prepínaní
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤11 mΩ)
● Nízke nabitie brány (Typ: 22 nC)
● Nízka kapacita spätného prenosu (typ: 130 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● Aplikácie na prepínanie napájania
● Pevne spínané a vysokofrekvenčné obvody
● Elektrické náradie
● Automobilová elektronika
● Neprerušiteľný zdroj napájania.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 30V | 9 mΩ | 50A |
