Taille : 建议图片大小150px*50px 
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| Quantité : | |
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50N03/B50N03/D50N03
WXDH
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 50 A 30 V
1 Descriptif
Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une conception de technologie de tranchée avancée, fournissent un excellent Rdson et une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 fonctionnalités
● Faible perte de commutation
● Faible résistance ON (Rdson≤11mΩ)
● Charge de porte faible (type : 22 nC)
● Faible capacité de transfert inverse (type : 130 pF)
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test ΔVDS 100 %
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Circuits à commutation dure et haute fréquence
● Outils électriques
● Electronique automobile
● Alimentation sans interruption.
| VDSS | RDS (activé) (TYP) | IDENTIFIANT |
| 30V | 9mΩ | 50A |
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 50 A 30 V
1 Descriptif
Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une conception de technologie de tranchée avancée, fournissent un excellent Rdson et une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 fonctionnalités
● Faible perte de commutation
● Faible résistance ON (Rdson≤11mΩ)
● Charge de porte faible (type : 22 nC)
● Faible capacité de transfert inverse (type : 130 pF)
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test ΔVDS 100 %
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Circuits à commutation dure et haute fréquence
● Outils électriques
● Electronique automobile
● Alimentation sans interruption.
| VDSS | RDS (activé) (TYP) | IDENTIFIANT |
| 30V | 9mΩ | 50A |
