Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները Օգտագործեցին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայնը, ապահովեցին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Միացման ցածր կորուստ
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤11mΩ)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 22nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություն (տեսակը՝ 130 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ
● Կոշտ անջատված և բարձր հաճախականության սխեմաներ
● Էլեկտրական գործիքներ
● Ավտոմոբիլային Էլեկտրոնիկա
● Անխափան սնուցման աղբյուր:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 30 Վ | 9mΩ | 50 Ա |
50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները Օգտագործեցին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայնը, ապահովեցին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Միացման ցածր կորուստ
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤11mΩ)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 22nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություն (տեսակը՝ 130 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ
● Կոշտ անջատված և բարձր հաճախականության սխեմաներ
● Էլեկտրական գործիքներ
● Ավտոմոբիլային Էլեկտրոնիկա
● Անխափան սնուցման աղբյուր:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 30 Վ | 9mΩ | 50 Ա |
