Figura: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Sasia: | |
|---|---|
50N03/B50N03/D50N03
WXDH
MOSFET me fuqi 50A 30V të modalitetit të përmirësimit të kanalit N
1 Përshkrimi
Këta VDMOSFET të përmirësuara me kanal N Përdornin dizajn të avancuar të teknologjisë së kanaleve, siguruan Rdson të shkëlqyer dhe ngarkesë të ulët të portës.Që përputhet me standardin RoHS.
2 Karakteristikat
● Humbje e ulët e ndërrimit
● Rezistencë e ulët ON (Rdson≤11mΩ)
● Karikim i ulët i portës (Lloji: 22 nC)
● Kapaciteti i ulët i transferimit të kundërt (Lloji: 130 pF)
● Testi i Energjisë së Ortekut 100% me puls të vetëm
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikacionet
● Aplikacionet e ndërrimit të energjisë
● Qarqet me ndërprerje të fortë dhe me frekuencë të lartë
● Vegla elektrike
● Elektronikë automobilistike
● Furnizimi me energji të pandërprerë.
| VDSS | RDS(aktiv) (TYP) | ID |
| 30 V | 9mΩ | 50 A |
MOSFET me fuqi 50A 30V të modalitetit të përmirësimit të kanalit N
1 Përshkrimi
Këta VDMOSFET të përmirësuara me kanal N Përdornin dizajn të avancuar të teknologjisë së kanaleve, siguruan Rdson të shkëlqyer dhe ngarkesë të ulët të portës.Që përputhet me standardin RoHS.
2 Karakteristikat
● Humbje e ulët e ndërrimit
● Rezistencë e ulët ON (Rdson≤11mΩ)
● Karikim i ulët i portës (Lloji: 22 nC)
● Kapaciteti i ulët i transferimit të kundërt (Lloji: 130 pF)
● Testi i Energjisë së Ortekut 100% me puls të vetëm
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikacionet
● Aplikacionet e ndërrimit të energjisë
● Qarqet me ndërprerje të fortë dhe me frekuencë të lartë
● Vegla elektrike
● Elektronikë automobilistike
● Furnizimi me energji të pandërprerë.
| VDSS | RDS(aktiv) (TYP) | ID |
| 30 V | 9mΩ | 50 A |
