Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N usaram design de tecnologia de vala avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa perda de comutação
● Baixa resistência ON (Rdson≤11mΩ)
● Carga de porta baixa (Tipo: 22nC)
● Baixa capacitância de transferência reversa (tipo: 130pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Aplicações de comutação de energia
● Circuitos Hard Switched e de Alta Frequência
● Ferramentas Elétricas
● Eletrônica Automotiva
● Fonte de alimentação ininterrupta.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N usaram design de tecnologia de vala avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa perda de comutação
● Baixa resistência ON (Rdson≤11mΩ)
● Carga de porta baixa (Tipo: 22nC)
● Baixa capacitância de transferência reversa (tipo: 130pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Aplicações de comutação de energia
● Circuitos Hard Switched e de Alta Frequência
● Ferramentas Elétricas
● Eletrônica Automotiva
● Fonte de alimentação ininterrupta.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 30V | 9mΩ | 50A |
