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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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SIC

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MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 A-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 5A 1200V SiC DCD05D120G3
 Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 A-247-2 1200V 40A Especificación del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Especificación del dispositivo DCD20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 A-263 650V 20A Especificación del dispositivo DCE20D65G4.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30mΩ y 1200V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
DCC040M120A2
MOSFET de SiC DCC016M120G3 TO-247 de 1200V/16mΩ/110A DCC016M120G3 A-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 A-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M170G2 A-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N, 120A, 1200V, DCC016M120G2/DCCF016M120G2 DCC016M120G2 A-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Especificación del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 25 A y 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Especificación del dispositivo DCCT25D170G1.pdf

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