puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » SIC

 

Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

SIC

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 5A 1700V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET de potencia SIC de canal N de 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 A-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A A-247 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N, 30mΩ, 1200V, DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 A-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 A-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 A-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
 Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barrera Schottky de 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf

Vídeo del producto

 

  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada