未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » SIC

 

Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

SIC

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
41A 650V canal N SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 PARA-247 650 V 41A DCC060M65G2 e DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira 5A 1200V SiC Schottky DCD05D120G3
Diodo de barreira SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barreira SiC Schottky de 4A 650V DCD04D65G4 PARA-252B 650 V 4A Especificação do dispositivo DCD04D65G4.pdf
500V/4A meia ponte IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
7.0A 1700V canal N SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 PARA-247 1700V 7A DCC650M170G1_Folha de dados_V1.0.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCGT15D120G4 TO-220-2 de 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Especificação do dispositivo DCGT15D120G4.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCCT40D120G4 TO-247-2 de 40A 1200V DCCT40D120G4 PARA-247-2 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCCT40D120G4.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky DCE30D65G4 TO-263 de 30A 650V DCE30D65G4 PARA-263 650 V 30A Especificação do dispositivo DCE30D65G4.pdf
diodo de barreira DCD20D65G4 TO-252 de 20A 650V SiC Schottky DCD20D65G4 PARA-252B 650 V 20A Especificação do dispositivo DCD20D65G4.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky DCE20D65G4 TO-263 de 20A 650V DCE20D65G4 PARA-263 650 V 20A Especificação do dispositivo DCE20D65G4.pdf
30mΩ 1200V canal N SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
120A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 PARA-247 1200 V 120A DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira DCCT20D65G4 TO-247-2L de 20A 650V SiC Schottky DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Especificação do dispositivo DCCT20D65G4.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Especificação do dispositivo DCCT25D170G1.pdf
36A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Especificação do dispositivo DCC080M120A.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf

Vídeo do produto

 

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com