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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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30mΩ 1200V canal N SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 PARA-247 1200 V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 10A 1200V DCD10D120G4/DCCT10D120G4/DCET10D120G4
Diodo de barreira SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Especificação do dispositivo DCGT10D65G4.pdf
diodo de barreira DCGT20D65G4 TO-220-2L de 20A 650V SiC Schottky DCGT20D65G4 PARA-220-2 650 V 20A Especificação do dispositivo DCGT20D65G4.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCC40D65G4 TO-247-3 de 40A 650V DCC40D65G4 PARA-247 650 V 40A Especificação do dispositivo DCC40D65G4.pdf
 Diodo de barreira SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 PARA-263 650 V 10A Especificação do dispositivo DCE10D65G4.pdf
68A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC040M120A2/DCCF040M120A2
diodo de barreira sic Schottky DCC20D120G4 TO-247-3 de 20A 1200V DCC20D120G4 PARA-247 1200 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D120G4.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 10A 650V DCD10D65G4 PARA-252B 650 V 10A Especificação do dispositivo DCD10D65G4.pdf
diodo de barreira DCGT08D65G4 TO-220-2L de 8A 650V SiC Schottky DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Especificação do dispositivo DCGT08D65G4.pdf
Diodo de barreira DCE08D65G4 TO-263 de 8A 650V SiC Schottky DCE08D65G4 PARA-263 650 V 8A Especificação do dispositivo DCE08D65G4.pdf
40mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 PARA-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCC20D65G4 TO-247-3 de 20A 650V DCC20D65G4 PARA-247 650 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D65G4.pdf

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