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MOSFET de puissance SiC canal N 30 mΩ 1 200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 1200V DCD10D120G4/DCCT10D120G4/DCET10D120G4
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Spécifications de l'appareil DCGT10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Spécifications de l'appareil DCGT20D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Spécification de l'appareil DCC40D65G4.pdf
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Spécifications de l'appareil DCE10D65G4.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 68 A 1 200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Spécifications de l'appareil DCC20D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Spécification de l'appareil DCD10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Spécifications de l'appareil DCGT08D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Spécification de l'appareil DCE08D65G4.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Spécification de l'appareil DCC20D65G4.pdf

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