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Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Spécifications de l'appareil DCGT15D120G4.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Spécifications de l'appareil DCCT40D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Spécifications de l'appareil DCE30D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO- 650V 20A Spécification de l'appareil DCD20D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Spécifications de l'appareil DCE20D65G4.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 30 mΩ 1 200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Spécification de l'appareil DCE08D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Spécification de l'appareil DCC20D65G4.pdf

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