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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diode barrière Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 5A 1200V DCD05D120G3
 Diode barrière SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diode barrière Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Spécification de l'appareil DCD04D65G4.pdf
Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Spécifications de l'appareil DCGT15D120G4.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Spécifications de l'appareil DCCT40D120G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Spécifications de l'appareil DCE30D65G4.pdf

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