未命名(1)(8)(1)
ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » SIC

 

ម៉ូដែល៖
កញ្ចប់៖
វី៖
ក៖
បន្ទាត់ផលិតផលដែលបានជ្រើសរើស៖

ស៊ី.ស៊ី

រូបភាព គំរូ កញ្ចប់ V A ឯកសារទិន្នន័យ ព័ត៌មានលម្អិត ការសាកសួរ បន្ថែមទៅកញ្ចប់
6A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
25A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20mΩ 650V N-channel SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ដល់-២៤៧ 650V ៩២ ក Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 ដល់-២៤៧ 650V ៤១ ក Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCD05D120G3
SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
4A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A ឧបករណ៍ DCD04D65G4 Specification.pdf
500V/4A ស្ពានពាក់កណ្តាល IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
7.0A 1700V N-channel SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 ដល់-២៤៧ 1700V ៧ ក Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
15A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V ១៥ ក ឧបករណ៍ DCGT15D120G4 Specification.pdf
500V/3A ស្ពានពាក់កណ្តាល IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A ឧបករណ៍ DCCT40D120G4 Specification.pdf
30A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 ដល់-២៦៣ 650V 30A ឧបករណ៍ DCE30D65G4 Specification.pdf

វីដេអូផលិតផល

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្រព័ត៌មានរបស់យើងដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។
    ដាក់ស្នើ
រក្សាសិទ្ធិ© 2023​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd បច្ចេកវិទ្យាដោយ leadong.com