ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » SIC

 

ម៉ូដែល៖
កញ្ចប់៖
វី៖
ក៖
បន្ទាត់ផលិតផលដែលបានជ្រើសរើស៖

SIC

រូបភាព គំរូ កញ្ចប់ V A ឯកសារទិន្នន័យ ព័ត៌មានលម្អិត ការសាកសួរ បន្ថែមទៅកញ្ចប់
30mΩ 1200V N-channel SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 ដល់-២៤៧ 1200V 68 អេ Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
10A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A ឧបករណ៍ DCGT10D65G4 Specification.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20 ក ឧបករណ៍ DCGT20D65G4 Specification.pdf
40A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 ដល់-២៤៧ 650V 40A ឧបករណ៍ DCC40D65G4 Specification.pdf
 SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCE10D65G4 ដល់-២៦៣ 650V 10A ឧបករណ៍ DCE10D65G4 Specification.pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 ដល់-២៤៧ 1200V 20 ក ឧបករណ៍ DCC20D120G4 Specification.pdf
10A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A ឧបករណ៍ DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V ៨ ក ឧបករណ៍ DCGT08D65G4 Specification.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 ដល់-២៦៣ 650V ៨ ក ឧបករណ៍ DCE08D65G4 Specification.pdf
40mΩ 650V N-channel SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 ដល់-២៤៧ 650V 52 ក Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 ដល់-២៤៧ 650V 20 ក ឧបករណ៍ DCC20D65G4 Specification.pdf

វីដេអូផលិតផល

 

  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្ររបស់យើង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។