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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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SIC

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30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
10 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Gerätespezifikation DCGT10D65G4.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Gerätespezifikation DCGT20D65G4.pdf
40 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Gerätespezifikation DCC40D65G4.pdf
 SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Gerätespezifikation DCE10D65G4.pdf
68 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Gerätespezifikation DCC20D120G4.pdf
10 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Gerätespezifikation DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Geräte-DCGT08D65G4-Spezifikation.pdf
8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Gerätespezifikation DCE08D65G4.pdf
40 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Gerätespezifikation DCC20D65G4.pdf

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