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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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SIC

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20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Gerätespezifikation DCD20D65G4.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Gerätespezifikation DCE20D65G4.pdf
30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
500V/4A Halbbrücke IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
15 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Gerätespezifikation DCGT15D120G4.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Gerätespezifikation DCCT40D120G4.pdf
30 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Gerätespezifikation DCE30D65G4.pdf
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Gerätespezifikation DCD04D65G4.pdf
 SiC-Schottky-Barrierediode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
25 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD05D120G3
6A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Gerätespezifikation DCC080M120A.pdf
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
18 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

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