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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Geräte-DCGT08D65G4-Spezifikation.pdf
68 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Gerätespezifikation DCC20D120G4.pdf
 SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Gerätespezifikation DCE10D65G4.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Gerätespezifikation DCGT20D65G4.pdf
40 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Gerätespezifikation DCC40D65G4.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
10 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Gerätespezifikation DCGT10D65G4.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
18 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Gerätespezifikation DCC080M120A.pdf

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